岩田達哉君(博士課程3回生)がニッケル酸化物を用いた抵抗変化メモリ素子のフォーミング特性に関する研究で、電気材料技術懇談会の発表奨励賞を受賞しました。

 応用物理学会「SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会」第22回講演会において、丹羽弘樹君(博士課程1回生)が4H-SiC における衝突イオン化係数の温度依存性の発表で講演奨励賞を受賞しました。

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクールにおいて、小林拓真君(修士課程1回生)が奨励賞を受賞しました。

奥田貴史君(博士課程1回生)が第32回電子材料シンポジウムでEMS賞を受賞しました。

応用物理学会「SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会」第21回講演会において、梶直樹君(修士課程1回生)がSiC高耐圧pinダイオードの発表で講演奨励賞を受賞しました。

窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2012)において金子光顕君(修士課程1回生)が発表した論文(共著者:奥村,菊地,木本,須田)が、最優秀論文賞(IWN2012 Best Paper Award)を受賞しました。

IEEE半導体パワーデバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2012)で丹羽弘樹君(修士課程2回生)がSiC pinダイオードの高耐圧化の研究発表でCharitat Award(若手最優秀発表賞)を受賞しま […]

2012/5/22 奥田貴史君(M2)が、2012年春季応用物理学会の発表「μ-PCD測定において観測された4H-SiC p型基板の極めて長いキャリア寿命」に対して第32回応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。

2012/5/11 丹羽弘樹君(M2)が、IEEE IMFEDK2012で発表したSiC PiNダイオードの論文(“Fundamental Study on Junction Termination Stru […]

2012/4/28 金子光顕君(M1)が、第4回窒化物半導体結晶成長講演会における「4H-SiC(11-20)基板上への4H-AlN/4H-GaN超格子の成長実現」の発表に対して発表奨励賞を受賞しました。