筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクールにおいて、小林拓真君(修士課程1回生)が奨励賞を受賞しました。

奥田貴史君(博士課程1回生)が第32回電子材料シンポジウムでEMS賞を受賞しました。

応用物理学会「SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会」第21回講演会において、梶直樹君(修士課程1回生)がSiC高耐圧pinダイオードの発表で講演奨励賞を受賞しました。

窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2012)において金子光顕君(修士課程1回生)が発表した論文(共著者:奥村,菊地,木本,須田)が、最優秀論文賞(IWN2012 Best Paper Award)を受賞しました。

IEEE半導体パワーデバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2012)で丹羽弘樹君(修士課程2回生)がSiC pinダイオードの高耐圧化の研究発表でCharitat Award(若手最優秀発表賞)を受賞しま […]

2012/5/22 奥田貴史君(M2)が、2012年春季応用物理学会の発表「μ-PCD測定において観測された4H-SiC p型基板の極めて長いキャリア寿命」に対して第32回応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。

2012/5/11 丹羽弘樹君(M2)が、IEEE IMFEDK2012で発表したSiC PiNダイオードの論文(“Fundamental Study on Junction Termination Stru […]

2012/4/28 金子光顕君(M1)が、第4回窒化物半導体結晶成長講演会における「4H-SiC(11-20)基板上への4H-AlN/4H-GaN超格子の成長実現」の発表に対して発表奨励賞を受賞しました。

2012/4/3 木本教授が第10回APEX/JJAP編集貢献賞を受賞しました。

2012/1/25 奥田貴史君(M1)が、2011年12月の電子情報通信学会電子デバイス研究会における「様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構 」の発表に対して学生発表 […]