2012/5/22 奥田貴史君(M2)が、2012年春季応用物理学会の発表「μ-PCD測定において観測された4H-SiC p型基板の極めて長いキャリア寿命」に対して第32回応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。

2012/5/11 丹羽弘樹君(M2)が、IEEE IMFEDK2012で発表したSiC PiNダイオードの論文(“Fundamental Study on Junction Termination Stru […]

2012/4/28 金子光顕君(M1)が、第4回窒化物半導体結晶成長講演会における「4H-SiC(11-20)基板上への4H-AlN/4H-GaN超格子の成長実現」の発表に対して発表奨励賞を受賞しました。

2012/4/3 木本教授が第10回APEX/JJAP編集貢献賞を受賞しました。

2012/1/25 奥田貴史君(M1)が、2011年12月の電子情報通信学会電子デバイス研究会における「様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構 」の発表に対して学生発表 […]

2011/12/25 三宅裕樹君(D3)がIEEE Kansai Section Student Paper Awardを受賞しました。(受賞論文: IEEE Electron Device Letters, vol.3 […]

2011/10/21 森岡直也君(D1)が、第11回IEEE関西コロキアム電子デバイスワークショップでの発表「Tight-Binding Study of Size and Geometric Effects on Ho […]

2011/9/21 木本教授が第29回大阪科学賞を受賞しました。

2011/8/1 日吉透君(M2)が、第33回応用物理学会論文奨励賞(受賞論文: Applied Physics Express, vol.2, 091101 (2009))を受賞しました。

2011/7/14 当研究室、東京エレクトロン、ロームの共同研究の成果であるSiCエピタキシャル成長装置「Probus-SiC（東京エレクトロン社製）」が、半導体・オブ・ザ・イヤー2011の半導体製造装置部門で、グランプ […]