金子光顕君（D2)が第38回（2015年春季）応用物理学会における「PAMBE法によるSiC基板上AlN成長層の貫通転位低減における成長初期V/III比の重要性」に対して講演奨励賞を受賞しました。

木本恒暢教授がIEEE Fellowに昇格しました。

小林拓真君(修士課程2回生)がSiCの酸化速度の伝導型依存性に関する研究で、電気材料技術懇談会の発表奨励賞を受賞しました。

金子光顕君(D1)がストックホルム国際青年科学セミナー（Stockholm International Youth Science Seminar, SIYSS）に日本代表として参加しました。

 木本恒暢教授が「SiC半導体の材料科学とパワーデバイス実現への基礎研究」に関する貢献で、応用物理学会のフェロー表彰を受けました。 応用物理学会フェロー表彰のページはこちら

須田准教授がIEEE Senior Memberに昇格しました

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2014において、浅田聡志君(修士課程1回生)が奨励賞を受賞しました。

奥田貴史君(博士課程2回生)が、第36回応用物理学会論文奨励賞(受賞論文: Applied Physics Express, vol.6, 121301 (2013))を受賞しました。

小林拓真君(修士課程2回生)がIEEE IMFEDK2014でStudent Paper Awardを受賞しました。

 木本恒暢教授が第46回市村学術賞(SiC半導体の学理)と市村産業賞(SiCパワーデバイス実用化)を受賞しました。 第46回市村学術賞　「炭化珪素パワー半導体の学理および実用化研究」　（京都大学・木本恒暢） 第46回市村 […]