小林拓真君(修士課程2回生)がSiCの酸化速度の伝導型依存性に関する研究で、電気材料技術懇談会の発表奨励賞を受賞しました。

金子光顕君(D1)がストックホルム国際青年科学セミナー（Stockholm International Youth Science Seminar, SIYSS）に日本代表として参加しました。

 木本恒暢教授が「SiC半導体の材料科学とパワーデバイス実現への基礎研究」に関する貢献で、応用物理学会のフェロー表彰を受けました。 応用物理学会フェロー表彰のページはこちら

須田准教授がIEEE Senior Memberに昇格しました

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2014において、浅田聡志君(修士課程1回生)が奨励賞を受賞しました。

奥田貴史君(博士課程2回生)が、第36回応用物理学会論文奨励賞(受賞論文: Applied Physics Express, vol.6, 121301 (2013))を受賞しました。

小林拓真君(修士課程2回生)がIEEE IMFEDK2014でStudent Paper Awardを受賞しました。

 木本恒暢教授が第46回市村学術賞(SiC半導体の学理)と市村産業賞(SiCパワーデバイス実用化)を受賞しました。 第46回市村学術賞　「炭化珪素パワー半導体の学理および実用化研究」　（京都大学・木本恒暢） 第46回市村 […]

岩田達哉君(博士課程3回生)がニッケル酸化物を用いた抵抗変化メモリ素子のフォーミング特性に関する研究で、電気材料技術懇談会の発表奨励賞を受賞しました。

 応用物理学会「SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会」第22回講演会において、丹羽弘樹君(博士課程1回生)が4H-SiC における衝突イオン化係数の温度依存性の発表で講演奨励賞を受賞しました。