遅熙倫君(D3)がIEEE EDS Kansai Chapter MFSK Awardを受賞

遅熙倫君(D3)が “Unique electron trapping and its impacts on electron mobility in SiC n-channel MOSFETs&#8221 […]

木本恒暢教授がSSDM Awardを受賞

木本恒暢教授が、1993年に開催された国際会議SSDM(International Conference on Solid State Devices and Materials)の論文”SiC Schott […]

金子光顕先生が「First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high-temperature complementa […]

第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会（7月17-19日）において、白石健君（修士課程2回生）が「SiC上AlBN強誘電体膜の成長と評価」の発表で発表奨励賞を受賞しました。

投稿日: 2025年7月13日投稿者: StudentStaff

利光汐音君(D1)が「高温動作集積回路およびパワーデバイス応用を目指したSiCトランジスタの基礎研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

令和7年春の褒章において、木本恒暢教授が「炭化珪素半導体材料および電力用素子の開発」に関する功績（発明改良）により紫綬褒章を受章しました。紫綬褒章は「学術芸術上の発明改良創作に関して事績の著しい者」が授与対象です。木本 […]

サンフランシスコで開催されたThe 70th International Electron Devices Meeting (IEDM2024, 12月7-11日)において、遅熙倫君(博士課程3回生)が「Unique e […]

金子光顕助教が「炭化ケイ素半導体を用いた厳環境動作可能な相補型回路の提案と動作実証」の研究テーマで第13回エヌエフ基金研究開発奨励賞を受賞しました。（2024年11月29日）

Gメッセ群馬で開催された先進パワー半導体分科会　第11回講演会（11月24-26日）において、伊東遼馬君（修士課程1回生）が「SiC pチャネルMOSFETにおけるAlイオン注入を用いたカウンタードープの効果」の発表で研 […]

アメリカ合衆国ノースカロライナ州ローリーで開催されたInternational Conferernce On Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM2024, […]