立木馨大君(博士課程修了生、現 当研究室研究員)が Appl. Phys. Express誌にて発表した論文(“Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), ( […]
受賞
金子光顕助教がThe 23rd IEEE EDS Kansai Chapter of the year Awardを受賞
金子光顕助教がIEEE Electron Device Lett.誌にて発表した論文「“SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Oper […]
小酒井翔太君(M1)がICSCRM2023でThe John Palmour Best Student Paper Awardを受賞
ソレント(イタリア)で開催されたInternational Conferernce On Sillicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM2023, 9/17-9/2 […]
利光汐音君(M1)が第12回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクールで奨励賞および審査員特別賞を受賞
筑波で開催された第12回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール(8月25-27日)において、利光汐音君(修士1回生)が奨励賞および審査員特別賞(最優秀)を受賞しました。
三上杏太君(D1)が工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞
三上杏太君(D1)が「SiC MOSFET反転層内キャリア輸送機構の解明と高温動作集積回路の実証」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。
原征大君(D3)が工学研究科吉田研究奨励賞を受賞
原征大君(D3)が「金属/高濃度ドープSiC界面キャリア輸送の理解に基づく低抵抗オーミック接合の形成」に対して工学研究科吉田研究奨励賞を受賞しました。
利光汐音君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞
利光汐音君(修士1回生)が卒業研究「三次元ゲート構造を有するSiC MOSFETに関する基礎的研究」で令和5年度吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。
金子光顕助教が第36回安藤博記念学術奨励賞を受賞
金子光顕助教が「炭化ケイ素を用いた低消費電力厳環境動作ICの研究」の研究テーマで第36回安藤博記念学術奨励賞を受賞しました。(2023年6月24日)
木本恒暢教授が IEEE Andrew S. Grove Award を受賞
木本恒暢教授が “For contributions to silicon carbide material and power devices.” の功績により 2024 IEEE Andrew S. Grove Aw […]
木本教授が ISPSD 2022 Ohmi Best Paper Award を受賞
2022年5月にバンクーバーで開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(IEEE ISPSD 2022)において、木本教授とケンブリッジ大、ミライズテクノロジーズ社の共同研究論文「Experime […]