APL Electronic Devicesにて発表した論文 “First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high […]
出版
木本教授のSiCパワー半導体紹介記事がNature Electronics誌に掲載
SiCパワー半導体の黎明期とSiCパワーデバイス発明を紹介する木本教授の記事が、Nature Electronics誌のReverse Engineeringコラムに掲載されました（9月30日付）。掲載記事はこちら。 N […]
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文”High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces”が”Editor’s pick”に選出&表紙絵を飾る
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文”High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces”（著者: K […]
J. Appl. Physにて発表した論文”High electron mobility in heavily sulfur-doped 4H-SiC“が”Editor’s pick”に選出&表紙絵を飾る
J. Appl. Physにて発表した論文”High electron mobility in heavily sulfur-doped 4H-SiC“（著者: Mitsuaki Kaneko, Taiga Matsuo […]
電子情報通信学会 和文論文誌Cに投稿した論文が月間ダウンロード数1位に
電子情報通信学会 和文論文誌Cに投稿した論文「高温環境での動作を可能にするSiC JFETを用いた相補型論理回路の研究」が月間ダウンロード数1位を記録しました。リンクはこちら。
Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes” が “Editor’s Pick” に選出
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Critical electric field for transition of thermionic field emission/fiel […]
日本学士院紀要の英語版(Proc. Japan Academy)に、木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文が掲載
木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文: “High-voltage SiC powerdevices for improved energy efficiency” が日本学士院紀要の […]
木本教授のAPEX Review論文がMost Readランキングの1位を獲得
SiCパワーデバイスの進展と欠陥制御を解説した木本教授のAPEX Review論文(Kimoto and Watanabe, Appl. Phys. Express 13, 120101 (2020)) が、APEX誌の […]
小林君のAPEX論文がMost Readランキングの1位を獲得
独自の手法で酸化膜/SiC界面を10倍高品質化した小林拓真君のAPEX論文(Appl. Phys. Express 13, 091003 (2020))が、APEX誌のMost Readランキングのトップを獲得しました。
Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Estimation of the critical condition for expansion/contraction of single Shockley stacking faults in 4H-SiC PiN diodes” が “Editor’s Pick” に選出
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Estimation of the critical condition for expansion/contraction of single […]