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出版

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Calibration on wide-ranging aluminum doping concentrations by photoluminescence in high-quality uncompensated p-type 4H-SiC”がAIP Publishingの”Scilight”に選出

投稿日: 2017年8月17日 投稿者: StudentStaff

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Calibration on wide-ranging aluminum doping concentrations by photoluminescenc […]

Applied Physics Expressにて発表した論文”Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under large reverse bias”がSpotlightsに選出

投稿日: 2017年1月10日2017年1月10日 投稿者: KanekoMitsuaki

Applied Physics Expressにて発表した論文”Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under large re […]

木本教授のSiC半導体に関するレビュー論文が JJAP Most Cited Article に選出

投稿日: 2016年5月25日 投稿者: kimoto

木本教授のSiC半導体に関するレビュー論文: “Material science and device physics in SiC technology for high-voltage power dev […]

Kimoto and Cooper: “Fundamentals of Silicon Carbide Technology”が出版

投稿日: 2015年2月2日 投稿者: kimoto

  木本教授が執筆したSiC半導体に関する著書 “Fundamentals of Silicon Carbide Technology” (Wiley) が出版されました(2014年9月 […]

グリーン・エレクトロニクスNo.9「ワイドギャップ半導体の研究」が出版されました

投稿日: 2012年8月1日 投稿者: kimoto

 グリーン・エレクトロニクス No. 9(CQ出版社)で須田准教授がワイドギャップ半導体の研究として特集記事(p.4~p.51)を執筆しています。

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  • 石川諒弥君(D1)が第335回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞
  • 柴田峻弥君(M1)が先進パワー半導体分科会第9回講演会で研究奨励賞を受賞
  • 本研究室のSiC研究成果がJST newsに掲載
  • 藤井開君(M2)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が決定
  • 立木馨大君(PD)がThe 22nd IEEE EDS Kansai Chapter of the year Awardを受賞

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