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出版

Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diodes with double-side-depleted shallow bevel termination” が “Editor’s Pick” に選出

投稿日: 2019年10月7日2020年3月4日 投稿者: TanakaHajime

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN […]

Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in n-type GaN homoepitaxial layers grown by quartz-free hydride-vapor-phase epitaxy” が “Editor’s Pick” に選出

投稿日: 2019年7月4日2020年3月4日 投稿者: TanakaHajime

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in […]

IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文 “Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation Into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate” が “Editor’s pick” に選出

投稿日: 2019年6月2日2020年3月4日 投稿者: StudentStaff

IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文 “Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Str […]

IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文” High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by Ion Implantation Into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate “がEDLの”Editor’s pick”に選出&表紙絵を飾る

投稿日: 2018年4月25日 投稿者: StudentStaff

IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文” High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by I […]

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice grown on 4H-SiC (11-20)”がAIP Publishingの”Editor’s pick”に選出

投稿日: 2018年1月6日 投稿者: StudentStaff

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice g […]

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Calibration on wide-ranging aluminum doping concentrations by photoluminescence in high-quality uncompensated p-type 4H-SiC”がAIP Publishingの”Scilight”に選出

投稿日: 2017年8月17日 投稿者: StudentStaff

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Calibration on wide-ranging aluminum doping concentrations by photoluminescenc […]

Applied Physics Expressにて発表した論文”Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under large reverse bias”がSpotlightsに選出

投稿日: 2017年1月10日2017年1月10日 投稿者: KanekoMitsuaki

Applied Physics Expressにて発表した論文”Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under large re […]

木本教授のSiC半導体に関するレビュー論文が JJAP Most Cited Article に選出

投稿日: 2016年5月25日 投稿者: kimoto

木本教授のSiC半導体に関するレビュー論文: “Material science and device physics in SiC technology for high-voltage power dev […]

Kimoto and Cooper: “Fundamentals of Silicon Carbide Technology”が出版

投稿日: 2015年2月2日 投稿者: kimoto

  木本教授が執筆したSiC半導体に関する著書 “Fundamentals of Silicon Carbide Technology” (Wiley) が出版されました(2014年9月 […]

グリーン・エレクトロニクスNo.9「ワイドギャップ半導体の研究」が出版されました

投稿日: 2012年8月1日 投稿者: kimoto

 グリーン・エレクトロニクス No. 9(CQ出版社)で須田准教授がワイドギャップ半導体の研究として特集記事(p.4~p.51)を執筆しています。

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  • 院試がんばれコンパを開催しました。
  • 金子光顕先生が准教授に昇任
  • BBQを開催しました
  • 木本恒暢教授が紫綬褒章を受章
  • APL Electronic Devicesにて発表した論文 “First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high-temperature complementary JFET ICs” が “Editor’s Pick” に選出
  • 新歓コンパを開催しました
  • 三上杏太先生が本研究室助教に着任
  • 2025年春の応用物理学会での発表
  • 遅熙倫君(D3)がIEDM2024でIEEE EDS Japan Joint Chapter Student Awardを受賞
  • 遅 熙倫君(D3)がIEDM2024で発表
  • 金子光顕助教が第13回 エヌエフ基金研究開発奨励賞を受賞
  • 伊東遼馬君(M1)が先進パワー半導体分科会第11回講演会で研究奨励賞を受賞
  • 三上杏太君(D2)がICSCRM2024でThe John Palmour Best Student Paper Awardを受賞
  • ICSCRM2024@Raleighに参加
  • 木本教授のSiCパワー半導体紹介記事がNature Electronics誌に掲載

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