一般講演
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション
3月22日(火) 13:45 〜 14:15 [22p-E302-1]
[第12回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演] SiCパワー半導体の進展と将来展望
〇木本 恒暢1 (1.京大工)
3月22日(火) 14:45 〜 15:15 [22p-E302-3]
[第43回解説論文賞受賞記念講演] SiCパワーデバイス開発における欠陥制御の重要性
〇渡部 平司1、木本 恒暢2 (1.阪大院工、2.京大院工)
3月24日(木) 14:30 〜 14:45 [24p-E302-3]
[第43回論文奨励賞受賞記念講演] SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO2界面の形成
〇小林 拓真1,2、奥田 貴史1、立木 馨大1、伊藤 滉二1、松下 雄一郎2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.東工大フロンティア)
3月24日(木) 14:45 〜 15:00 [24p-E302-4]
酸化抑制プロセスを用いて作製したSiC MOSFET特性の表面水素処理時間依存性
〇村木 瞬星1、三上 杏太1、立木 馨大1、木本 恒暢1 (1.京大工)
3月24日(木) 15:45 〜 16:00 [24p-E302-8]
様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性
〇伊藤 滉二1、田中 一1,2、堀田 昌宏1,3、須田 淳1,3、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.阪大院工、3.名大院工)
3月25日(金) 11:15 〜 11:30 [25a-E301-9]
[第51回講演奨励賞受賞記念講演] 4H-SiCにおける電子移動度および正孔移動度の異方性
〇石川 諒弥1、原 征大1、田中 一1,2、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.阪大院工)
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
3月25日(金) 16:00 〜 18:00 [25p-P11-14]
SiC相補型JFET論理ゲートの350℃動作
〇金子 光顕1、中島 誠志1、金 祺民1、木本 恒暢1 (1.京大院工)