鐘ヶ江一孝君(D1)が第38回電子材料シンポジウムでEMS賞を受賞

投稿日: 2019年10月16日投稿者: TanakaHajime

奈良県橿原市で開催された第38回電子材料シンポジウム(2019年10月9-11日)において、鐘ヶ江一孝君(博士1回生)がEMS賞を受賞しました。

日経 xTECHに本研究室の研究成果が掲載

日経 xTECH(10月3日)に、本研究室がICSCRM2019で発表したp型SiC MOS界面の特性向上に関する研究成果が掲載されました。

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN […]

日経産業新聞(9月17日)に「パワー半導体が効率アップ　京大やロームが新技術」として本研究室のSiC MOS界面特性向上に関する研究成果が掲載されました。

シンポジウム講演パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術〜省エネルギー社会に向けて〜 9/19(木) 15:45-16:15 19p-B01-5 SiCパワーデバイスを支える薄膜・表面技術〇木本恒暢1 (1.京大工) […]

投稿日: 2019年8月29日投稿者: TanakaHajime

筑波で開催された第8回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール(8月25-28日)において、原征大君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。

前田拓也君（博士課程2回生）が、Appl. Phys. Express誌にて発表した論文“Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schott […]

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in […]

投稿日: 2019年5月27日投稿者: TanakaHajime

2019年5月，上海(中国)で開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2019)において，前田拓也君(博士課程2回生)が「Estimation of Impact ionization […]