広島国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会 第6回講演会(12月3-4日)において、伊藤滉二君(修士課程2回生)が「SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響」の発表で研究奨励賞を […]
受賞
鐘ヶ江一孝君(D1)が第38回電子材料シンポジウムでEMS賞を受賞
奈良県橿原市で開催された第38回電子材料シンポジウム(2019年10月9-11日)において、鐘ヶ江一孝君(博士1回生)がEMS賞を受賞しました。
原征大君(M1)が第8回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクールで奨励賞を受賞
筑波で開催された第8回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール(8月25-28日)において、原征大君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。
前田拓也君(D2)が応用物理学会論文奨励賞を受賞
前田拓也君(博士課程2回生)が、Appl. Phys. Express誌にて発表した論文“Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schott […]
鐘ヶ江一孝君(D1)が工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞
鐘ヶ江一孝君(D1)が「超低損失パワーデバイス実現に向けた窒化ガリウム中の深い準位に関する研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。
原征大君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞
原征大君(修士課程1回生)が卒業研究「 高濃度ドープn型SiCを用いたショットキー障壁ダイオード の作製と解析」で第4回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。
前田拓也君(D2)が31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices&ICs (ISPSD2019)でISPSD2019 Charitat Awardを受賞
2019年5月,上海(中国)で開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2019)において,前田拓也君(博士課程2回生)が「Estimation of Impact ionization […]
原征大君(M1)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定
東京工業大学で開催された2019年春季応用物理学会学術講演会における、「高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価」の発表に対し、原征大君(修士課程1回生、発表当 […]
前田拓也君(D1)がThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018)でIEEE EDS Japan Chapter Student Award (IEDM)を受賞
サンフランシスコで開催されたThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018, 12月1-5日)において,前田拓也君(博士課程1回生)が「Parallel […]
立木馨大君(M2)が第315回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞
大阪で開催された第315回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、立木馨大君(修士課程2回生)が「高密度界面欠陥の影響を考慮したSiC MOSFETにおける短チャネル効果の研究」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。