2020秋季応用物理学会学術講演会における、「酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成」の発表に対し、立木馨大君（博士課程2回生）の講演奨励賞の受賞が内定しました。

2020年9月にバーチャル開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD 2020)において、木本教授とトヨタ自動車の共同研究論文「Enhanced Performance of 50 nm […]

金祺民君(修士課程１回生)が卒業研究「イオン注入による半絶縁性SiC基板上サイドゲートJFETの作製と横方向チャネリングの解析」で令和2年度吉田卒業研究・論文賞を受賞しました

伊藤滉二君（D1)が「SiC/SiO2界面におけるチャネル内キャリア散乱機構の解明」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

木本恒暢教授が「炭化珪素パワー半導体の基盤技術確立と実用化への貢献」という研究業績で、山崎貞一賞（材料科学技術振興財団）を受賞することが決定しました（9月29日）。https://www.mst.or.jp/Portal […]

木本恒暢教授が「炭化珪素半導体の基礎学理と電力用素子実用化に関する研究」という研究業績に対して、令和2年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞（研究部門）を受賞しました（4月7日）。

金子光顕助教が「界面不整転位導入による歪み制御窒化アルミニウム結晶の成長と物性解明」の業績により、船井情報科学振興財団から2019年度船井研究奨励賞を受賞しました。

3月16日，博士課程2回生(受賞時)の前田拓也君が学業において京都大学総長賞を受賞しました．

木本教授が「高効率電力変換用SiCパワー半導体の先駆的研究および実用化」の業績により、岩谷直治記念財団から第46回岩谷直治記念賞を受賞しました(3月9日)。

サンフランシスコで開催されたThe 65th International Electron Devices Meeting (IEDM2019, 12月8-12日)において，前田拓也君(博士課程2回生)が「Impact […]