大阪で開催された第320回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、伊藤滉二君(修士課程2回生)が「 SiC MOS界面における伝導帯端の異常なゆらぎの発見 」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。

広島国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会　第6回講演会（12月3-4日）において、伊藤滉二君（修士課程2回生）が「SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響」の発表で研究奨励賞を […]

奈良県橿原市で開催された第38回電子材料シンポジウム(2019年10月9-11日)において、鐘ヶ江一孝君(博士1回生)がEMS賞を受賞しました。

筑波で開催された第8回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール(8月25-28日)において、原征大君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。

前田拓也君（博士課程2回生）が、Appl. Phys. Express誌にて発表した論文“Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schott […]

鐘ヶ江一孝君（D1)が「超低損失パワーデバイス実現に向けた窒化ガリウム中の深い準位に関する研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

原征大君（修士課程1回生）が卒業研究「 高濃度ドープn型SiCを用いたショットキー障壁ダイオード の作製と解析」で第4回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。

2019年5月，上海(中国)で開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2019)において，前田拓也君(博士課程2回生)が「Estimation of Impact ionization […]

東京工業大学で開催された2019年春季応用物理学会学術講演会における、「高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価」の発表に対し、原征大君（修士課程1回生、発表当 […]

サンフランシスコで開催されたThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018, 12月1-5日)において，前田拓也君(博士課程1回生)が「Parallel […]