金沢で開催されたInternational Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018, 11月11-16日)において,前田拓也君(博士課程1回生)が「Temperature […]
受賞
中島誠志君(M1)、鐘ヶ江一孝君(M2)が先進パワー半導体分科会 第5回講演会で研究奨励賞を受賞
京都テルサで開催された先進パワー半導体分科会 第5回講演会(11月6-7日)において、中島誠志君(修士課程1回生)が「高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製」の発 […]
伊藤滉二君(M1)がTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2018で奨励賞を受賞
筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2018(8月24-27日)において、伊藤滉二君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。
伊藤滉二君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞
伊藤滉二君(修士課程1回生)が卒業研究「界面準位密度のエネルギー分布を考慮したSiC MOSFETの電気的特性のモデリング」で第3回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。
前田拓也君(M2)が応用物理学会講演奨励賞を受賞
福岡国際会議場で開催された2017年秋季応用物理学会学術講演会において、前田拓也君(修士課程2回生)が「GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光吸収」の発表で講演奨励賞を受賞しました […]
前田拓也君(M2)が第36回電子材料シンポジウム(EMS)でEMS賞を受賞
長浜ロイヤルホテルで開催された第36回電子材料シンポジウム(EMS)において、前田拓也君(修士課程2回生)が「逆バイアス電圧印加GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光電流の温度依存 […]
浅田聡志君(D2)がICSCRM2017 でStudent poster awardを受賞
アメリカ ワシントンDCで開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017, 9月17-22日)におい […]
鐘ヶ江一孝君(M1)がTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2017で奨励賞を受賞
筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2017(8月25-28日)において、鐘ヶ江一孝君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。
前田拓也君(M2)が原島博学術奨励賞を受賞
2017年6月27日、前田拓也君(修士課程2回生)が「窒化ガリウム(GaN)縦型パワーデバイス実現に向けた基礎物性・デバイス評価」の研究に対して、電気電子情報学術振興財団より平成29年度原島博学術奨励賞を受賞しました。
鐘ヶ江一孝君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞
鐘ヶ江一孝君(修士課程1回生)が卒業研究「n型GaN自立基板およびホモエピタキシャル成長層の電気的性質の評価」で第2回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。