鐘ヶ江一孝君（D1)が「超低損失パワーデバイス実現に向けた窒化ガリウム中の深い準位に関する研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

原征大君（修士課程1回生）が卒業研究「 高濃度ドープn型SiCを用いたショットキー障壁ダイオード の作製と解析」で第4回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。

2019年5月，上海(中国)で開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2019)において，前田拓也君(博士課程2回生)が「Estimation of Impact ionization […]

東京工業大学で開催された2019年春季応用物理学会学術講演会における、「高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価」の発表に対し、原征大君（修士課程1回生、発表当 […]

サンフランシスコで開催されたThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018, 12月1-5日)において，前田拓也君(博士課程1回生)が「Parallel […]

大阪で開催された第315回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、立木馨大君(修士課程2回生)が「高密度界面欠陥の影響を考慮したSiC MOSFETにおける短チャネル効果の研究」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。

金沢で開催されたInternational Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018, 11月11-16日)において，前田拓也君(博士課程1回生)が「Temperature […]

京都テルサで開催された先進パワー半導体分科会　第5回講演会（11月6-7日）において、中島誠志君（修士課程1回生）が「高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製」の発 […]

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2018(8月24-27日)において、伊藤滉二君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。

伊藤滉二君（修士課程1回生）が卒業研究「界面準位密度のエネルギー分布を考慮したSiC MOSFETの電気的特性のモデリング」で第3回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。