木本教授が渡部先生（大阪大）と共同執筆したSiCパワー半導体に関するレビュー論文(“Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices, […]

小林拓真君(博士課程修了生、現 大阪大学助教)が Appl. Phys. Express誌にて発表した論文（“Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via […]

立木馨大君(D3)が「酸化過程排除によるSiC/酸化膜界面の高品質化」に対して工学研究科吉田研究奨励賞を受賞しました。

原征大君(D1)が「オーム性接触形成メカニズム解明に向けた金属/炭化珪素界面に関する基礎研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

木本恒暢教授が学術誌APEX/JJAP編集運営に対する長年の貢献により、第19回APEX/JJAP編集貢献賞（応用物理学会）を受賞しました（3月16日）。木本教授の同賞受賞は第10回に続き2回目です。https://ww […]

2020秋季応用物理学会学術講演会における、「酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成」の発表に対し、立木馨大君（博士課程2回生）の講演奨励賞の受賞が内定しました。

2020年9月にバーチャル開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD 2020)において、木本教授とトヨタ自動車の共同研究論文「Enhanced Performance of 50 nm […]

金祺民君(修士課程１回生)が卒業研究「イオン注入による半絶縁性SiC基板上サイドゲートJFETの作製と横方向チャネリングの解析」で令和2年度吉田卒業研究・論文賞を受賞しました

伊藤滉二君（D1)が「SiC/SiO2界面におけるチャネル内キャリア散乱機構の解明」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

木本恒暢教授が「炭化珪素パワー半導体の基盤技術確立と実用化への貢献」という研究業績で、山崎貞一賞（材料科学技術振興財団）を受賞することが決定しました（9月29日）。https://www.mst.or.jp/Portal […]