鐘ヶ江一孝君（修士課程1回生）が卒業研究「n型GaN自立基板およびホモエピタキシャル成長層の電気的性質の評価」で第2回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。

2017年4月22日、奥田貴史助教が「炭化珪素パワー半導体の物性制御およびデバイス性能の向上」の研究に対して、船井情報科学振興財団より研究奨励賞を受賞しました。奥田先生は現在、電気工学専攻・引原研究室の助教ですが、受賞対 […]

第77回応用物理学会秋季学術講演会（9月13-16日）において、飯島彬文君（修士課程1回生）が「4H-SiCエピタキシャル層中におけるショックレー型積層欠陥と基底面転位構造の関係」の発表で第41回応用物理学会講演奨励賞を […]

つくば国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会　第3回講演会（11月8-9日）において、田中一君（博士課程2回生）が「p型4H-SiCにおけるHall散乱因子・正孔密度・正孔移動度の理論的検討」の発表で研究奨励賞を受 […]

木本教授が執筆したSiCパワー半導体に関するレビュー論文(“Material science and device physics in SiC technology for high-voltage pow […]

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2016(8月26-29日)において、平松佳奈さん(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。

浅田聡志君（D1)が「SiCバイポーラトランジスタの高性能化に関する研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

前田拓也君(M1)が第8回窒化物半導体結晶成長講演会における「ホモエピタキシャル成長n型GaN縦型ショットキーバリアダイオードに表面から光照射したときの光電流」の発表で発表奨励賞を受賞しました。

前田拓也君(4回生)が電子情報通信学会・電子デバイス研究会で発表した「ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性」に対して、論文発表奨励賞を受賞しました。

山田恭輔君(修士課程2回生)が超高耐圧SiC PiNダイオードの性能限界に関する研究で、電気材料技術懇談会の発表奨励賞を受賞しました(1月22日)。