筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2016(8月26-29日)において、平松佳奈さん(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。

浅田聡志君（D1)が「SiCバイポーラトランジスタの高性能化に関する研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

前田拓也君(M1)が第8回窒化物半導体結晶成長講演会における「ホモエピタキシャル成長n型GaN縦型ショットキーバリアダイオードに表面から光照射したときの光電流」の発表で発表奨励賞を受賞しました。

前田拓也君(4回生)が電子情報通信学会・電子デバイス研究会で発表した「ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性」に対して、論文発表奨励賞を受賞しました。

山田恭輔君(修士課程2回生)が超高耐圧SiC PiNダイオードの性能限界に関する研究で、電気材料技術懇談会の発表奨励賞を受賞しました(1月22日)。

田中一君（D1)が第15回IEEE関西コロキアム電子デバイスワークショップでの発表「Phonon-limited Electron Mobility in Rectangular Cross-sectional Ge N […]

小林拓真君(D1)が応用物理学会・先進パワー半導体分科会第2回講演会における「高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討」の発表で研究奨励賞を受賞しました(11月10日)。

木本恒暢教授が「炭化珪素(SiC)半導体の材料科学と高性能デバイス実現に関する先駆的研究」の業績で加藤記念賞（加藤科学振興会）を受賞しました(11月6日)。

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2015(8月28-31日)において、前田拓也君(学部4回生)が奨励賞を受賞しました。

金子光顕君（D2)が第34回電子材料シンポジウムでの発表「PAMBE法によるAlNテンプレート層上極薄GaN層の成長」についてEMS賞を受賞しました。