藤原寛朗君（M2)がIEEE IMFEDK 2015における”Impacts of Orientation and Cross-sectional Shape on Hole Mobility of Si N […]

田中一君（D1)が「半導体ナノワイヤにおけるキャリア輸送現象の研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。  

丹羽 弘樹君(D3)が第38回（2015年春季）応用物理学会における「超高耐圧4H-SiCパワーデバイスを目指した衝突イオン化係数の決定」に対して応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。

金子光顕君（D2)が第38回（2015年春季）応用物理学会における「PAMBE法によるSiC基板上AlN成長層の貫通転位低減における成長初期V/III比の重要性」に対して講演奨励賞を受賞しました。

木本恒暢教授がIEEE Fellowに昇格しました。

小林拓真君(修士課程2回生)がSiCの酸化速度の伝導型依存性に関する研究で、電気材料技術懇談会の発表奨励賞を受賞しました。

金子光顕君(D1)がストックホルム国際青年科学セミナー（Stockholm International Youth Science Seminar, SIYSS）に日本代表として参加しました。

 木本恒暢教授が「SiC半導体の材料科学とパワーデバイス実現への基礎研究」に関する貢献で、応用物理学会のフェロー表彰を受けました。 応用物理学会フェロー表彰のページはこちら

須田准教授がIEEE Senior Memberに昇格しました

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2014において、浅田聡志君(修士課程1回生)が奨励賞を受賞しました。