田中一君（D1)が第15回IEEE関西コロキアム電子デバイスワークショップでの発表「Phonon-limited Electron Mobility in Rectangular Cross-sectional Ge N […]

小林拓真君(D1)が応用物理学会・先進パワー半導体分科会第2回講演会における「高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討」の発表で研究奨励賞を受賞しました(11月10日)。

木本恒暢教授が「炭化珪素(SiC)半導体の材料科学と高性能デバイス実現に関する先駆的研究」の業績で加藤記念賞（加藤科学振興会）を受賞しました(11月6日)。

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2015(8月28-31日)において、前田拓也君(学部4回生)が奨励賞を受賞しました。

金子光顕君（D2)が第34回電子材料シンポジウムでの発表「PAMBE法によるAlNテンプレート層上極薄GaN層の成長」についてEMS賞を受賞しました。

藤原寛朗君（M2)がIEEE IMFEDK 2015における”Impacts of Orientation and Cross-sectional Shape on Hole Mobility of Si N […]

田中一君（D1)が「半導体ナノワイヤにおけるキャリア輸送現象の研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。  

丹羽 弘樹君(D3)が第38回（2015年春季）応用物理学会における「超高耐圧4H-SiCパワーデバイスを目指した衝突イオン化係数の決定」に対して応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。

金子光顕君（D2)が第38回（2015年春季）応用物理学会における「PAMBE法によるSiC基板上AlN成長層の貫通転位低減における成長初期V/III比の重要性」に対して講演奨励賞を受賞しました。

木本恒暢教授がIEEE Fellowに昇格しました。