大阪で開催された第315回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、立木馨大君(修士課程2回生)が「高密度界面欠陥の影響を考慮したSiC MOSFETにおける短チャネル効果の研究」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。

金沢で開催されたInternational Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018, 11月11-16日)において，前田拓也君(博士課程1回生)が「Temperature […]

京都テルサで開催された先進パワー半導体分科会　第5回講演会（11月6-7日）において、中島誠志君（修士課程1回生）が「高温動作集積回路を目指したノーマリオフ型p-JFETおよびn-JFETの同一SiC基板上への作製」の発 […]

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2018(8月24-27日)において、伊藤滉二君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。

伊藤滉二君（修士課程1回生）が卒業研究「界面準位密度のエネルギー分布を考慮したSiC MOSFETの電気的特性のモデリング」で第3回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。

福岡国際会議場で開催された2017年秋季応用物理学会学術講演会において、前田拓也君（修士課程2回生）が「GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光吸収」の発表で講演奨励賞を受賞しました […]

長浜ロイヤルホテルで開催された第36回電子材料シンポジウム(EMS)において、前田拓也君（修士課程2回生）が「逆バイアス電圧印加GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光電流の温度依存 […]

アメリカ ワシントンDCで開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017, 9月17-22日）におい […]

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2017(8月25-28日)において、鐘ヶ江一孝君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。

2017年6月27日、前田拓也君(修士課程2回生)が「窒化ガリウム(GaN)縦型パワーデバイス実現に向けた基礎物性・デバイス評価」の研究に対して、電気電子情報学術振興財団より平成29年度原島博学術奨励賞を受賞しました。