福岡国際会議場で開催された2017年秋季応用物理学会学術講演会において、前田拓也君（修士課程2回生）が「GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光吸収」の発表で講演奨励賞を受賞しました […]

長浜ロイヤルホテルで開催された第36回電子材料シンポジウム(EMS)において、前田拓也君（修士課程2回生）が「逆バイアス電圧印加GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光電流の温度依存 […]

アメリカ ワシントンDCで開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017, 9月17-22日）におい […]

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2017(8月25-28日)において、鐘ヶ江一孝君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。

2017年6月27日、前田拓也君(修士課程2回生)が「窒化ガリウム(GaN)縦型パワーデバイス実現に向けた基礎物性・デバイス評価」の研究に対して、電気電子情報学術振興財団より平成29年度原島博学術奨励賞を受賞しました。

鐘ヶ江一孝君（修士課程1回生）が卒業研究「n型GaN自立基板およびホモエピタキシャル成長層の電気的性質の評価」で第2回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。

2017年4月22日、奥田貴史助教が「炭化珪素パワー半導体の物性制御およびデバイス性能の向上」の研究に対して、船井情報科学振興財団より研究奨励賞を受賞しました。奥田先生は現在、電気工学専攻・引原研究室の助教ですが、受賞対 […]

第77回応用物理学会秋季学術講演会（9月13-16日）において、飯島彬文君（修士課程1回生）が「4H-SiCエピタキシャル層中におけるショックレー型積層欠陥と基底面転位構造の関係」の発表で第41回応用物理学会講演奨励賞を […]

つくば国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会　第3回講演会（11月8-9日）において、田中一君（博士課程2回生）が「p型4H-SiCにおけるHall散乱因子・正孔密度・正孔移動度の理論的検討」の発表で研究奨励賞を受 […]

木本教授が執筆したSiCパワー半導体に関するレビュー論文(“Material science and device physics in SiC technology for high-voltage pow […]