福岡国際会議場で開催された2017年秋季応用物理学会学術講演会において、前田拓也君(修士課程2回生)が「GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光吸収」の発表で講演奨励賞を受賞しました […]
受賞
前田拓也君(M2)が第36回電子材料シンポジウム(EMS)でEMS賞を受賞
長浜ロイヤルホテルで開催された第36回電子材料シンポジウム(EMS)において、前田拓也君(修士課程2回生)が「逆バイアス電圧印加GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光電流の温度依存 […]
浅田聡志君(D2)がICSCRM2017 でStudent poster awardを受賞
アメリカ ワシントンDCで開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017, 9月17-22日)におい […]
鐘ヶ江一孝君(M1)がTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2017で奨励賞を受賞
筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2017(8月25-28日)において、鐘ヶ江一孝君(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。
前田拓也君(M2)が原島博学術奨励賞を受賞
2017年6月27日、前田拓也君(修士課程2回生)が「窒化ガリウム(GaN)縦型パワーデバイス実現に向けた基礎物性・デバイス評価」の研究に対して、電気電子情報学術振興財団より平成29年度原島博学術奨励賞を受賞しました。
鐘ヶ江一孝君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞
鐘ヶ江一孝君(修士課程1回生)が卒業研究「n型GaN自立基板およびホモエピタキシャル成長層の電気的性質の評価」で第2回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。
奥田貴史助教が船井研究奨励賞を受賞
2017年4月22日、奥田貴史助教が「炭化珪素パワー半導体の物性制御およびデバイス性能の向上」の研究に対して、船井情報科学振興財団より研究奨励賞を受賞しました。奥田先生は現在、電気工学専攻・引原研究室の助教ですが、受賞対 […]
飯島彬文君(M1)が応用物理学会講演奨励賞を受賞
第77回応用物理学会秋季学術講演会(9月13-16日)において、飯島彬文君(修士課程1回生)が「4H-SiCエピタキシャル層中におけるショックレー型積層欠陥と基底面転位構造の関係」の発表で第41回応用物理学会講演奨励賞を […]
田中一君(D2)が先進パワー半導体分科会 第3回講演会で研究奨励賞を受賞
つくば国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会 第3回講演会(11月8-9日)において、田中一君(博士課程2回生)が「p型4H-SiCにおけるHall散乱因子・正孔密度・正孔移動度の理論的検討」の発表で研究奨励賞を受 […]
木本教授が応用物理学会論文賞(解説論文賞)を受賞
木本教授が執筆したSiCパワー半導体に関するレビュー論文(“Material science and device physics in SiC technology for high-voltage pow […]