ICSCRM2025@プサンに参加

ICSCRM2025に参加しました！研究室からは8件（内7件口頭発表）筆頭著者として講演を行いました！

2025年秋の応用物理学会での発表

シンポジウム講演 NT1社会を変えるワイドギャップ半導体の現状と将来 9月7日(木) 15:50 〜 16:20 [7p-N101-6]脱炭素社会実現に貢献するSiC半導体の現在と将来〇木本恒暢1、金子光顕1 一般講 […]

シンポジウム講演 13 T25 極限環境デバイス 3月15日(土) 15:15 ～ 15:45 [15p-Y1311-4]SiC相補型JFETの350℃動作実証および性能向上に向けた基礎研究〇金子光顕1、木本恒暢1& […]

アメリカ合衆国サンフランシスコで開催された70th IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM 2024, 12/7-12/11)において、遅熙倫(Xilun Chi)君(博士課程 […]

ICSCRM2024に参加しました！研究室からは6件（内2件招待講演）筆頭著者として講演を行いました！

アメリカノースカロライナ州ローリーで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024, 9月29日-1 […]

アメリカノースカロライナ州ローリーで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024, 9月29日-1 […]

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 9月18日(水) 9:30 〜 11:30 [18a-P06-16]n 型SiC エピタキシャル層上へイオン注入で作製したJFET の600℃動作〇金子 […]

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価3月23日(土) 15:00 〜 15:15 [23p-52A-8]「第45回論文奨励賞受賞記念講演」酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0 […]

イタリアソレントで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023, 9月17日-9月22日）において […]