シンポジウム講演 13 T25 極限環境デバイス 3月15日(土) 15:15 ～ 15:45 [15p-Y1311-4]SiC相補型JFETの350℃動作実証および性能向上に向けた基礎研究〇金子 光顕1、木本 恒暢1& […]

アメリカ合衆国サンフランシスコで開催された70th IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM 2024, 12/7-12/11)において、遅 熙倫(Xilun Chi)君(博士課程 […]

アメリカノースカロライナ州ローリーで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024, 9月29日-1 […]

アメリカノースカロライナ州ローリーで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024, 9月29日-1 […]

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 9月18日(水) 9:30 〜 11:30 [18a-P06-16]n 型SiC エピタキシャル層上へイオン注入で作製したJFET の600℃動作〇金子 […]

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価3月23日(土) 15:00 〜 15:15 [23p-52A-8]「第45回論文奨励賞受賞記念講演」酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0 […]

イタリアソレントで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023, 9月17日-9月22日）において […]

イタリアソレントで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023, 9月17日-9月22日）において […]

一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス3月15日(水) 10:30 〜 10:45 [15a-A409-3]Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子のアナログ高抵抗化時の酸素空孔輸送特性〇宮谷 俊輝1、上沼 睦典2 […]