一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス9月11日(金) 13:15 〜 13:30 [11p-Z07-2]Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関〇宮谷 俊輝1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院 […]

シンポジウム講演 パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術〜省エネルギー社会に向けて〜 9/19(木) 15:45-16:15 19p-B01-5 SiCパワーデバイスを支える薄膜・表面技術 〇木本 恒暢1 (1.京大工) […]

京都で開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019, 9月29日-10月4日）において、伊藤滉二君 […]

シンポジウム講演 イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜 03/10(日) 14:30 15:00 10p-W922-3SiCへのイオン注入技術とデバイス応用〇木本 恒暢11京大工 […]

金沢で開催されるInternational Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018, 11月11日-11月16日）において、鐘ヶ江一孝君（修士課程2回生）が「H […]

一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス 09/20(木) 10:00 10:15 20a-222-5 Pt/TaOx/Ta2O5/Pt 抵抗変化素子の直流および交流電気的特性の解析 〇宮谷 俊輝1 西 佑介1 木本 恒 […]

イギリスバーミンガムで開催されるEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018, 9月2日-9月6日）において、中島誠志 […]

招待講演 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術 03/18 (日) 9:00-9:15 18a-C302-1 Franz-Keldysh効果によるサブバンドギャップ光吸収を利用した GaN p-n接合ダイ […]

アメリカワシントンDCで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017, 9月17日-9月22日）に […]

シンポジウム講演 S.18 転位研究の最前線 ～材料を超えた視点から見えてくるもの～ 09/07(木) 16:45 17:15 招 7p-A201-9 SiCの材料・デバイス特性から見た転位 〇木本恒暢1 1京大工 S. […]