三上杏太君(D1)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が決定

上智大学/オンラインで開催された2023年春季応用物理学会学術講演会 (3/15–3/18) における、「無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価」の発表に対し、三上杏太君（博士課程1回生、発表 […]

2023年春の応用物理学会での発表予定

一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス3月15日(水) 10:30 〜 10:45 [15a-A409-3]Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子のアナログ高抵抗化時の酸素空孔輸送特性〇宮谷俊輝1、上沼睦典2 […]

木本教授の業績（半導体に関する発表論文）が Best Scientist Ranking in the Field of Electronics and Electrical Engineering 2023 の上位にラ […]

投稿日: 2023年1月12日投稿者: StudentStaff

大阪で開催された第335回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、石川諒弥君（博士課程1回生）が「SiCにおける電子・正孔移動度の異方性の評価と解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。

投稿日: 2022年12月22日投稿者: StudentStaff

福岡国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会　第9回講演会（12月19-21日）において、柴田峻弥君（修士課程1回生）が「半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製した縦ゲートJFETの閾値電圧制御性の向上」の発表で […]

投稿日: 2022年12月6日投稿者: StudentStaff

本研究室のSiCデバイス（MOSFET, JFET）に関する研究成果、活動がJST newsに掲載されました。詳細は下記。・科学技術振興機構(JST)のトップページ（リンク）・JST news のPDF版（リンク）

投稿日: 2022年11月22日投稿者: StudentStaff

東北大学/オンラインで開催された2022年秋季応用物理学会学術講演会 (9/20–9/23) における、「熱酸化SiO2/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位」の発表に対し、藤井開君（修士課程2回生)の講演奨励賞 […]

投稿日: 2022年10月17日投稿者: StudentStaff

立木馨大君（博士研究員）がIEEE Trans. on Electron Devices誌にて発表した論文「”Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities i […]

投稿日: 2022年9月7日投稿者: StudentStaff

シンポジウム講演ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線9月21日(水) 13:50〜14:20 [21p-M206-2]SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展〇木本恒暢1、立木馨大1、伊 […]

木本恒暢教授が「低損失SiCパワー半導体の先駆的研究と基盤技術確立」という研究業績で、衞籐細矢記念賞を受賞しました（7月8日）。http://futaba-zaidan.org/