木本教授の業績（半導体に関する発表論文）が Best Scientist Ranking in the Field of Electronics and Electrical Engineering 2023 の上位にラ […]
作者別: StudentStaff
石川諒弥君(D1)が第335回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞
大阪で開催された第335回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、石川諒弥君（博士課程1回生）が「SiCにおける電子・正孔移動度の異方性の評価と解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。
柴田峻弥君(M1)が先進パワー半導体分科会第9回講演会で研究奨励賞を受賞
福岡国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会 第9回講演会（12月19-21日）において、柴田峻弥君（修士課程1回生）が「半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製した縦ゲートJFETの閾値電圧制御性の向上」の発表で […]
本研究室のSiC研究成果がJST newsに掲載
本研究室のSiCデバイス（MOSFET, JFET）に関する研究成果、活動がJST newsに掲載されました。詳細は下記。・科学技術振興機構(JST)のトップページ（リンク）・JST news のPDF版（リンク）
藤井開君(M2)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が決定
東北大学/オンラインで開催された2022年秋季応用物理学会学術講演会 (9/20–9/23) における、「熱酸化SiO2/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位」の発表に対し、藤井開君（修士課程2回生)の講演奨励賞 […]
立木馨大君（PD）がThe 22nd IEEE EDS Kansai Chapter of the year Awardを受賞
立木馨大君（博士研究員）がIEEE Trans. on Electron Devices誌にて発表した論文「”Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities i […]
2022年秋の応用物理学会での発表予定
シンポジウム講演 ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線9月21日(水) 13:50〜14:20 [21p-M206-2]SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展〇木本 恒暢1、立木 馨大1、伊 […]
木本教授が衞籐細矢記念賞を受賞
木本恒暢教授が「低損失SiCパワー半導体の先駆的研究と基盤技術確立」という研究業績で、衞籐細矢記念賞を受賞しました（7月8日）。http://futaba-zaidan.org/
本研究室のSiC研究成果がJSTホームページ等で紹介
本研究室のSiC MOSFET特性向上に関する研究成果が、「SiCパワー半導体の大幅な性能改善」というタイトルで、JSTプログラム(OPERA)の顕著な成果として紹介されました。https://www.jst.go.jp […]
伊藤滉二君(D3)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定
青山学院大学/オンラインで開催された2022年春季応用物理学会学術講演会 (3/22–3/26) における、「様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性」の発表に対し、伊藤滉 […]