福岡国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会　第9回講演会（12月19-21日）において、柴田峻弥君（修士課程1回生）が「半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製した縦ゲートJFETの閾値電圧制御性の向上」の発表で […]

東北大学/オンラインで開催された2022年秋季応用物理学会学術講演会 (9/20–9/23) における、「熱酸化SiO2/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位」の発表に対し、藤井開君（修士課程2回生)の講演奨励賞 […]

立木馨大君（博士研究員）がIEEE Trans. on Electron Devices誌にて発表した論文「”Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities i […]

木本恒暢教授が「低損失SiCパワー半導体の先駆的研究と基盤技術確立」という研究業績で、衞籐細矢記念賞を受賞しました（7月8日）。http://futaba-zaidan.org/

青山学院大学/オンラインで開催された2022年春季応用物理学会学術講演会 (3/22–3/26) における、「様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性」の発表に対し、伊藤滉 […]